三星推出业界首款512GB DDR5 7200Mbps内存 -51

三星刚刚发布了半导体行业首个采用High-K Metal Gate(HKMG)工艺技术的512GB DDR5内存。

这一突破使DDR4的性能达到了每秒7200兆位(Mbps)的两倍,并且功耗将降低约13%。 这项新的内存技术非常适合需要大计算能力的应用程序,例如人工智能开发,数据中心和机器学习。

三星电子DRAM内存计划/支持小组副总裁Young-Soo Sohn表示:“三星是唯一一家拥有逻辑和内存功能以及将HKMG尖端逻辑技术整合到内存产品开发中的专业知识的半导体公司。” “通过将这种类型的工艺创新引入DRAM制造,我们能够为客户提供高性能,高能效的内存解决方案,以为医学研究,金融市场,自动驾驶,智慧城市及其他领域所需的计算机提供动力。” DDR5容量是通过堆叠八层16GB DRAM芯片实现的,共512GB。

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